数理物質系の都甲薫准教授は、Scientific Reports, 7, 16981 (2017)に掲載された"High-hole mobility polycrystalline Ge on an insulator formed by controlling precursor atomic density for solid-phase crystallization"に関する研究により、「第10回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞」を受賞しました。3月10日開催の応用物理学会にて授賞式、受賞記念講演が行われます。